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      產品名稱: 晶圓的生產工藝流程

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      晶圓的生產工藝流程介紹
      從大的方面來講,晶圓生產包括晶棒制造和晶片制造兩大步驟,它又可細分為以下幾道主要工序(其中晶棒制造只包括下面的第一道工序,其余的全部屬晶片制造,所以有時又統稱它們為晶柱切片后處理工序):
      晶棒成長 --> 晶體定向 --> 晶棒裁切與檢測 --> 外徑研磨 /切割--> 切片 --> 圓邊 --> 研磨拋光->  清洗 -->(各種處理工序 ) --> 檢驗 --> 包裝

      1、晶體生長

      真空感應加熱晶體生長爐( 2000 -2400℃)

      · 頂部籽晶溶液生長
      · 升華外延生長


      2、單晶定向

      用于測定單晶材料的表面缺陷。單片機系統采集的實時數據傳送給計算機分析系統進行數據處理進而得到峰位角和半峰寬(FWHW)值,以此判斷晶面表面是生長的完整性。


      3、晶棒裁切與檢測

      將長成的晶棒去掉直徑偏小的頭、尾部分,并對尺寸進行檢測,以決定下步加工的工藝參數。

      可根據實際尺寸選用STX系列金剛石線切割機


      4、外徑研磨
      由于在晶棒成長過程中,其外徑尺寸和圓度均有一定偏差,其外園柱面也凹凸不平,所以必須對外徑進行修整、研磨,使其尺寸、形狀誤差均小于允許偏差。
      可選用STX-100QX金剛石曲線切割機進行修復,切割出完整的晶棒

      5、 切片

      由于硅的硬度非常大,所以在本工序里,采用STX系列金剛石線切割機將晶棒切割成一片片薄片。

      可根據實際尺寸選用合適的STX系列金剛石線切割機


      6. 研磨/拋光

      研磨的目的在于去掉切割時在晶片表面產生的鋸痕和破損,使晶片表面達到所要求的光潔度。

      再對晶片的表面進行拋光處理,一來進一步去掉附著在晶片上的微粒,二來獲得極佳的表面平整度,以利于后面所要講到的晶圓處理工序加工。

      可選用UNIPOL-1203化學機械磨拋機,最大可放置6英寸的基片

      配合滴料器和GPC系列磨拋控制儀,可實時檢測磨削量,計算控制晶圓最終厚度


      7、清洗

      將加工完成的晶片進行最后的徹底清洗、風干。

      可選用超聲波/等離子/臭氧清洗


      晶圓處理工序

      ①蝕刻


      晶圓處理工序

      ②涂膜


      晶圓處理工序

      ③鍍金屬膜+切割

      切割可根據應用選擇切割機

      劃片可使用SYJ-400/800/1610劃片切割機


      8、檢驗
      進行最終全面的檢驗以保證產品最終達到規定的尺寸、形狀、表面光潔度、平整度等技術指標。

      (TR100袖珍式表面粗糙度儀)

      9、包裝

      將成品用柔性材料,分隔、包裹、裝箱,運輸。

      我司包含各種尺寸的晶圓盒可供選擇


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